Сегодня исполняется 80 лет выдающемуся ученому-физику академику Александру Николаевичу Скринскому, научному руководителю Института ядерной физики имени Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН.
С именем А.Н. Скринского тесно связаны многие яркие страницы истории развития физики ускорителей заряженных частиц и высоких энергий. Дирекция ОИЯИ направила юбиляру поздравление в связи с юбилейной датой.
Создание и становление метода встречных пучков на основе накопителей заряженных частиц является основой сегодняшней экспериментальной физики высоких энергий. Под руководством и при непосредственном участии А.Н. Скринского были созданы установки со встречными электрон-электронными пучками ВЭП-1 (1964) и электрон-позитронными пучками ВЭПП-2 (1966). На этих установках был проведен цикл экспериментов по квантовой электродинамике (1965-1967 гг.), по исследованию легких векторных мезонов и впервые обнаружено множественное рождение адронов в электрон-позитронной аннигиляции (1967-1970 гг.).
Очень важным и плодотворным оказалось инициированное Александром Николаевичем в 1966 году направление работ по практическому получению поляризованных пучков электронов и позитронов в накопителях и их использованию для физики элементарных частиц и ядерной физики.
При участии А.Н. Скринского была разработана теория движения спина в реальных магнитных полях ускорителей и накопителей, предложены методы управления движением спинов с помощью спиновых ротаторов и "сибирских змеек", предложен метод получения продольно-поляризованных пучков в накопителях, в частности - для встречных пучков, и теоретически доказана его реализуемость (1970). Эти методы нашли применение на электронном кольце коллайдера HERA (Гамбург) для экспериментов с внутренними мишенями, и с участием ИЯФ имени Г.И. Будкера на накопителе RHIC (Брукхейвен, США) для получения продольно-поляризованных встречных протон-антипротонных пучков, а также на накопителях NIKHEF (Амстердам) и лаборатории BATES (MIT, США).
Яркой страницей истории развития физики ускорителей является метод "электронного охлаждения", предложенный Г.И. Будкером в 1967 году. А.Н. Скринским вместе с сотрудниками была развита теория "электронного охлаждения", а в 1974 году получено его экспериментальное подтверждение. Вскоре (1978) были найдены многочисленные эффективные приложения метода в весьма важных областях. Метод широко используется во многих лабораториях мира, во многих случаях с участием
ИЯФ имени Г.И. Будкера (ЦЕРН, GSI Германия, IMP Китай). Недавно найдены решения, позволяющие радикально расширить диапазон энергий, вплоть до тэвного диапазона (2015).
В настоящее время мировое научное сообщество разрабатывает проект международного линейного электрон-позитронного коллайдера на сверхвысокие энергии, концептуальный проект которого был разработан А.Н. Скринским совместно с Г.И. Будкером и В.Е. Балакиным еще в семидесятых годах XX века.
Сегодня в Новосибирске при активном участии Александра Николаевича успешно проводятся эксперименты по физике высоких энергий на коллайдере ВЭПП-4М и новом коллайдере ВЭПП-2000, а также разрабатывается проект принципиально новой установки - супер чарм-тау-фабрики, одного из наиболее амбициозных проектов в области физики высоких энергий не только в России, но и в мире.
Большой вклад внес А.Н. Скринский и в развитие прикладных работ на основе фундаментальных разработок ИЯФ. Это - применение синхротронного излучения в различных областях науки и техники, развитие электронно-лучевых технологий для различных отраслей промышленности.
Особенно интересны и перспективны электронные лазеры с высокой средней мощностью на базе ускорителей-рекуператоров (1994). В настоящее время завершено создание новосибирского лазера на свободных электронах - уникального источника когерентного электромагнитного излучения в диапазоне длин волн от 5 до 240 микрон. Средняя мощность излучения новосибирского ЛСЭ составляет 0,5 кВт, что значительно превосходит аналогичные зарубежные установки, работающие в аналогичных диапазонах.
В течение нескольких последних лет Александр Николаевич принимает активное участие в разработке концепции международного проекта мюонных встречных пучков с использованием ионизационного охлаждения мюонов, предложенного им еще в семидесятых годах XX века совместно с академиком Г.И. Будкером. Международное признание завоевала также разрабатываемая с его участием концепция источников синхротронного излучения четвертого поколения на базе ускорителей с рекуперацией энергии.
Во многом благодаря усилиям А.Н. Скринского целый ряд российских институтов эффективно участвовал и участвует в больших международных проектах, прежде всего - в проекте Большого адронного коллайдера в ЦЕРН (Швейцария), экспериментах на В-фабриках в Центре физики высоких энергий КЕК (Япония) и в Стэнфорде (США).
Александр Николаевич - автор и соавтор более 400 научных публикаций, принимает активное участие в подготовке научных кадров. Среди его учеников - 2 академика, 4 члена-корреспондента РАН, 15 докторов и 45 кандидатов наук. Ученый ведет большую научно-организационную работу. Многие десятилетия он является членом Президиума РАН и Президиума СО РАН, руководителем секции ядерной физики Отделения физических наук РАН, в 2001-2004 гг. был членом совета при Президенте РФ по науке и высоким технологиям.
А.Н.Скринский - лауреат Ленинской премии (1967), Государственной премии СССР (1989), государственных премий РФ (2001, 2006), Новосибирской области (2010), Демидовской премии (1997), награжден золотой медалью РАН имени В.И.Векслера (1991), золотой медалью РАН имени П.Л.Капицы (2004).
В 2001 году А.Н.Скринский удостоен премии имени Р.Р.Вилсона Американского физического общества, в 2003-м - премии имени А.П.Карпинского (Фонд Топфера, Германия), в 2015-м награжден памятной медалью Международного сообщества ускорительщиков за достижения и вклад в области охлаждения пучков и их применения.
В 1999 году А.Н.Скринский избран действительным членом Американского физического общества, в 2000 году - иностранным членом Королевской академии наук Швеции. Он награжден орденами Трудового Красного Знамени (1975), Октябрьской Революции (1982), "За заслуги перед Отечеством" IV степени (1996), "За заслуги перед Отечеством" III степени (2000), "За заслуги перед отечеством" II степени (2006 год).
А.Н.Скринский обладает высочайшим международным научным авторитетом, является членом ряда российских и международных комитетов, которые определяют стратегию развития физики высоких энергий в мире.
Александру Николаевичу Скринскому - 80 летДубна: наука, содружество, прогресс (jinr.ru), 15.01.2016
Александр Скринский: "Я старше, чем мой институт"Наука в Сибири (sbras.info), 15.01.2016