Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiHx :H, содержащих нанокластеры кремния
Пленки SiNx :H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380°C. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0.5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiNx : H (x < 4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область.
