Магнитотеллурическое поле над разрезами, содержащими высокоомные экраны
В.И. Михалевский, В.М. Кобзова
Выпуск: 10
, Том: 21
, Год издания: 1980
Сериальное издание: Геология и геофизика
Страницы: 123-124
Аннотация
Выполнено физическое моделирование магнитотеллурического поля над несколькими моделями разрезов, содержащими высокоомные экраны. Полученные результаты подтверждают правильность существующих представлений о характере магнитотеллурического поля в подобных ситуациях.
