Яндекс.Метрика

Т.Т. Корчагина, В.А. Володин, А.A. Попов, К.С. Хорьков, М.Н. Герке

Выпуск: 13 , Том: 37 , Год издания: 2011
Сериальное издание: Письма в журнал технической физики
Страницы: 62-69

Аннотация

Исследовано формирование нанокластеров Si в пленке SiNx с избыточным содержанием кремния под воздействием фемтосекундных лазерных импульсов. Пленка была выращена при температуре 100oC с применением плазмо-химического осаждения на подложке из лавсана. Для импульсной кристаллизации использовался титан-сапфировый лазер с длиной волны излучения 800 nm и длительностью импульса 50 fs. По данным комбинационного рассеяния света получено, что импульсные отжиги стимулировали собирание избыточного кремния в нанокластеры и их кристаллизацию. Развитый подход может быть использован для формирования полупроводниковых нанокристаллов в диэлектрических пленках на подложках из пластика.
индекс в базе ИАЦ: 043408