Выпуск: 12 , Том: 44 , Год издания: 2010

Пленки SiN_x:H разного состава, осажденные на подложки из стекла и кремния с применением плазмо-химического метода при температуре 380°C, были подвергнуты импульсным лазерным отжигам. Обработки проводились с применением излучения титан-сапфирового лазера с длиной волны 800 нм и длительностью импульса 30 фс. Структурные изменения в пленках были исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. В исходных пленках с молярной долей избыточного кремния ~1/5 и выше обнаружены нанокластеры аморфного кремния. Были найдены режимы, необходимые для импульсной кристаллизации нанокластеров. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния, в исходных пленках с небольшим количеством избыточного кремния (x>1.25) кластеров кремния обнаружено не было. Импульсные обработки привели к формированию в данных пленках нанокластеров кремния с размерами 1-2 нм