Ученые Национального исследовательского
ядерного университета "МИФИ" в сотрудничестве со специалистами Института
физики металлов УрО РАН разработали и изучили наногетероструктуры
на основе арсенида галлия, способные повысить быстродействие
высокочастотных микросхем.
Гетероструктура представляет собой выращенный на подложке слоистый материал из различных полупроводников, обычно используемых в электронике. Современный "квантовый дизайн" позволяет создавать их с теми свойствами, которых требует производство новейших электронных приборов.
Быстродействие приборов можно улучшить, повышая содержание индия в "активном" токоведущем слое материала. Увеличение содержания индия позволяет уменьшить массу электронов в структуре, а также увеличить их скорость, поэтому возрастает и быстродействие электронных приборов. Однако это осложняется механическим напряжением кристаллической решётки у прилежащих слоёв.
Рост образцов проводился методом эпитаксии – послойного выращивания кристаллически совершенных полупроводников на "виртуальной подложке", у которой при росте переходного слоя постепенно меняется параметр кристаллической решетки.
Ученые подобрали оптимальные условия для выращивания: температуру подложки, конструкцию переходного слоя, толщину и состав активного слоя. Поэтому структуры получились высокого качества, с малым рассеянием электронов и малой (всего 2 нанометра) шероховатостью поверхности.
По мнению специалистов, данные российских ученых, опубликованные в научном журнале "Journal of Magnetism and Magnetic Materials", позволяют прояснить особенности проявления КЭХ в современных наноструктурах.
"Это, в первую очередь, фундаментальное исследование, – поясняет один из авторов статьи, доцент кафедры физики конденсированных сред НИЯУ МИФИ Иван Васильевский. – Однако мы видим и потенциал его прикладного применения. Он обусловлен, прежде всего, тем, что подобные структуры имеют высокую подвижность электронов и обеспечивают высокие (до 200 ГГц) частоты работы транзисторов и микросхем".
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники - новости на сегодня 16.03.2018News2world.net, 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиМосква-ТуТ (moskva-tyt.ru), 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиРИА Новости, 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиMosDay.ru, 16.03.2018
В МИФИ создали наноструктуры, ускоряющие электроникуПолитВести (politvesti.com), 18.03.2018
В МИФИ создали наноструктуры, ускоряющие электроникуНаука и техника (naucaitechnika.ru), 18.03.2018
В МИФИ создали наноструктуры, ускоряющие электроникуRuposters (ruposters.ru), 18.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиAgentnews.ru (agentnews.ru), 17.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющи е работу электроникиРусский переплет (pereplet.ru), 16.03.2018
Российские ученые ускорили работу электроникиРусская планета (rusplt.ru), 16.03.2018
В России ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиРусский Дозор (rusdozor.ru), 16.03.2018
Ускорить работу электроники: в России нашли способ "разогнать" микросхемыVN (vigornews.ru), 16.03.2018
В России ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники (ИНФОГРАФИКА)Newstes.ru, 16.03.2018
В России ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники (ИНФОГРАФИКА)ПолитВести (politvesti.com), 16.03.2018
В России ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники (ИНФОГРАФИКА)Русская весна (rusvesna.su), 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники3news.ru, 16.03.2018
Ускорить работу электроники: в России нашли способ "разогнать" микросхемыПолитэксперт (politexpert.net), 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиНовости сибирской науки (sib-science.info), 16.03.2018
В России ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники (ИНФОГРАФИКА)Fromua.news, 16.03.2018
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроникиNanonewsnet.ru, 25.03.2018