Яндекс.Метрика
17.02.2017 | 885

Регламент процедуры избрания президента РАН может быть изменен

​Инициативная группа членов Российской академии наук предлагает изменить регламент заседания общего собрания организации, на котором должны состояться выборы руководства РАН. Соответствующий документ, в котором, в частности, предлагается выбрать «жесткое» правило голосования (отдавать голос только за одного кандидата), был разослан членам РАН. Об этом сообщает информационно-сервисный портал Indicator.Ru.

«Традиции академии – это открытое, гласное обсуждение всех кандидатов на руководящие должности (в первую очередь – президента), создание равных условий для всех кандидатов и предоставление возможности любому члену академии принять участие в обсуждении на всех этапах выборной процедуры (от этапа выдвижения до общего собрания)», — говорится в документе.

Далее отмечается, что в программе работы общего собрания РАН, принятого постановлением президиума № 216 (о собрании, где и будет избираться президент РАН в марте 2017 года), на всю процедуру выборов (выступления кандидатов, обсуждение, раздача и заполнение бюллетеней) отведена всего лишь часть второй половины рабочего дня. Предлагается выделить на связанные с выборами процедуры несколько дней — 21–24 марта.

Как сообщил Indicator.Ru, один из членов президиума РАН, эти предложения обсуждались на заседании президиума академии 14 февраля, соответствующая рабочая группа была создана, результаты ее работы будут обсуждаться 21 февраля. В тот же день президиум РАН по результатам закрытого голосования должен будет оказать поддержку одному из трех кандидатов на выборах президента академии – победивший кандидат будет стоять первым в избирательном бюллетене на выборах в марте.

На выборы президента РАН в 2017 году претендуют действующий глава академии Владимир Фортов, директор Института молекулярной биологии им. В.А. Энгельгардта РАН Александр Макаров и председатель Совета Российского фонда фундаментальных исследований, директор Института проблем лазерных и информационных технологий РАН академик Владислав Панченко.